CN  97A0674186, E98011424, P97231565
TI  モノリシック集積（ＰＮＰ／ＮＰＮ）ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポー
    ラトランジスタ生産のための超低抵抗材料の研究
ET  Ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　Ｕｌｔｒａ‐Ｌｏｗ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ
    Ｍａｔｅｒｉａｌ　ｆｏｒ　Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ
    Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｎｐｎ　ａｎｄ　Ｐｎｐ　ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ
    Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ．
AU  ＥＮＱＵＩＳＴ　Ｐ　Ｍ (Ｒｅｓ．　Ｔｒｉａｎｇｌｅ　Ｉｎｓｔ．，　ＮＣ)
JN  P0996A ＡＤ　Ｒｅｐ
RP  AD-A-318475
VN  ＰＡＧＥ．８ｐ 1996
CI  (T) (a1) (EN) (USA)
AB  本研究の範囲は，当初ＮＰＮとＰＮＰのＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧｓをヘテロ接合バイ
    ポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に適用するための，ガリウムひ素に基づく固有抵抗
    が非常に低い材料を開発することであった。研究の初期の成功とＦｔ．　Ｍｏｎｍ
    ｏｕｔｈ（ニュージャージー州）にある米軍ＥＰＳＤ研究所の補完的な研究開発活
    動とによって，研究活動範囲は高性能光受信機を指向して，光検出器，光受信機，
    及びＰＩＮデバイスとＨＢＴデバイスとのモノリシック統合を含むＨＢＴの光学的
    応用にまで広げられた。
CC  NC03020K, NC03081P, BD06040S (621.315.5, 621.383, 621.391.6:535)
KW  ひ化ガリウム; ひ化ガリウムアルミニウム; ＨＢＴ【トランジスタ】; 半導体集積
    回路; 光検出器; 電気抵抗率; ＯＥＩＣ; 半導体材料; ＰＩＮ接合; ニュージャー
    ジー
FT  [超低抵抗材料; モノリシック統合]