CN  97A0620344, P97235032
TI  ＩＩＩ‐Ｖヘテロ構造素子への，応力誘起の分極効果（最終報告１９９２年４月‐
    １９９６年６月）
ET  Ｓｔｒａｉｎ‐ｉｎｄｕｃｅｄ　ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ　ｅｆｆｅｃｔｓ
    ｆｏｒ　ＩＩＩ‐Ｖ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｄｅｖｉｃｅ
    ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．
AU  ＲＵＤＥＮ　Ｐ　Ｐ, ＮＡＴＨＡＮ　Ｍ　Ｉ (Ｕｎｉｖ．　Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ，
    　ＭＮ)
JN  P0996A ＡＤ　Ｒｅｐ
RP  AD-A-317004
VN  ＰＡＧＥ．８ｐ 1996
CI  (T) (a1) (EN) (USA)
AB  ＩＩＩ‐Ｖ二重障壁共鳴トンネル素子に外部から一定方向の応力を加えたときの効
    果を，実験的及び理論的に研究した。実験用デバイスは（００１）及び（１１１）
    配向した基板上に作り，ウエハ面の方向及びそれと垂直な面の方向の応力をかけた
    。それらのデバイスの電流電圧特性は，圧電効果とバンド構造への応力効果も考慮
    に入れたモデルの枠内で計算した。実験結果と理論結果とは定性的によく一致した
    。
CC  BM03082Y (621.382.23SS)
KW  軸方向応力; トンネル接合; 誘電分極; 圧電材料; 化合物半導体; ヘテロ接合; ト
    ンネル効果
FT  [共鳴トンネル効果]