TI  圧電抵抗をもつダイヤモンドによるマイクロセンサ（最終報告１９９４年５月‐１
    ９９６年５月）
ET  Ｍｉｃｒｏｓｅｎｓｏｒ　Ｗｉｔｈ　Ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
    Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｓｅｎｓｉｎｇ　Ｅｌｅｍｅｎｔｓ．
AU  ＫＵＲＴＺ　Ａ, ＤＥＤＩＯＳ　Ｔ　Ｖ, ＮＥＤ　Ａ　Ａ, ＤＡＶＩＤＳＯＮ　Ｐ
    　Ｊ　Ｌ (Ｋｕｌｉｔｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　Ｉｎ
    ｃ．，　ＮＪ)
JN  P0996A ＡＤ　Ｒｅｐ
RP  AD-A-316722
VN  ＰＡＧＥ．１２０ｐ 1996
CI  (T) (a1) (EN) (USA)
AB  新しいダイヤモンド（ｐ‐Ｄ）モノリシック圧力センサのプロトタイプを開発し，
    特性評価をした。現在のところ５８０°Ｆまでの温度で使用できる。設計，製作，
    梱包とテストについて研究開発した。多結晶ダイヤモンド膜のゲージ因子（ＧＦ）
    を８８０°Ｆまで測定した結果，室温でほぼ５のものがリニアに増加して７８０°
    Ｆでほぼ５０に達することが分かった。高温における多結晶ダイヤモンド膜のゲー
    ジ因子の値が温度の関数として報告されたのはこれが最初である。温度抵抗係数（
    ＴＣＲ）の測定は，ビーム歪ゲージ及びフィルム歪ゲージを用いて８０〜１１８０
    °Ｆの温度範囲で行われた。ＳｉＣ上に厚さ数ミクロンの真正ダイヤモンド膜を蒸
    着することにより測定は成功した。ほう素化合物源での蒸着中にｐ型ダイヤモンド
    は，『その場で』ドープした。これはダイヤモンドをパターン化する新しい，より
    効率的なプロセスである。抵抗器製作のためのこの新しいプロセスは，いかなるド
    ーピング・レベルでもｐ型ダイヤモンドのドーピングに適用することができる。Ｐ
    ｔとＴｉ／Ｐｔの二つのＯｈｍ接触メタライゼーション方式を，外部電子装置との
    電気接続用に選んだ。８００℃以上でダイヤモンドの酸化耐性技術を開発した。ｐ
    型ダイヤモンド抵抗器の製作プロセスが大いに改善された。力コレクター（隔膜）
    を形成するために，２段階のエッチングプロセスを利用した。
CC  NC03110I, NC03030V (621.382:537.226.86, 621.382.002.2)
KW  センサ; ドーピング; ダイヤモンド; 半導体薄膜; 多結晶; 歪計; エッチング; 耐
    酸化性; 温度依存性; ほう素; 圧電素子
FT  [圧力センサ; 圧電センサ; マイクロセンサ]