TI  圧電抵抗をもつダイヤモンドによるマイクロセンサ(最終報告1994年5月‐1
    996年5月)
ET  Microsensor With Piezoresistive
    Diamond Sensing Elements.
AU  KURTZ A, DEDIOS T V, NED A A, DAVIDSON P
     J L (Kulite Semiconductor Products In
    c., NJ)
JN  P0996A AD Rep
RP  AD-A-316722
VN  PAGE.120p 1996
CI  (T) (a1) (EN) (USA)
AB  新しいダイヤモンド(p‐D)モノリシック圧力センサのプロトタイプを開発し,
    特性評価をした。現在のところ580°Fまでの温度で使用できる。設計,製作,
    梱包とテストについて研究開発した。多結晶ダイヤモンド膜のゲージ因子(GF)
    を880°Fまで測定した結果,室温でほぼ5のものがリニアに増加して780°
    Fでほぼ50に達することが分かった。高温における多結晶ダイヤモンド膜のゲー
    ジ因子の値が温度の関数として報告されたのはこれが最初である。温度抵抗係数(
    TCR)の測定は,ビーム歪ゲージ及びフィルム歪ゲージを用いて80〜1180
    °Fの温度範囲で行われた。SiC上に厚さ数ミクロンの真正ダイヤモンド膜を蒸
    着することにより測定は成功した。ほう素化合物源での蒸着中にp型ダイヤモンド
    は,『その場で』ドープした。これはダイヤモンドをパターン化する新しい,より
    効率的なプロセスである。抵抗器製作のためのこの新しいプロセスは,いかなるド
    ーピング・レベルでもp型ダイヤモンドのドーピングに適用することができる。P
    tとTi/Ptの二つのOhm接触メタライゼーション方式を,外部電子装置との
    電気接続用に選んだ。800℃以上でダイヤモンドの酸化耐性技術を開発した。p
    型ダイヤモンド抵抗器の製作プロセスが大いに改善された。力コレクター(隔膜)
    を形成するために,2段階のエッチングプロセスを利用した。
CC  NC03110I, NC03030V (621.382:537.226.86, 621.382.002.2)
KW  センサ; ドーピング; ダイヤモンド; 半導体薄膜; 多結晶; 歪計; エッチング; 耐
    酸化性; 温度依存性; ほう素; 圧電素子
FT  [圧力センサ; 圧電センサ; マイクロセンサ]