TI 圧電抵抗をもつダイヤモンドによるマイクロセンサ(最終報告1994年5月‐1 996年5月) ET Microsensor With Piezoresistive Diamond Sensing Elements. AU KURTZ A, DEDIOS T V, NED A A, DAVIDSON P J L (Kulite Semiconductor Products In c., NJ) JN P0996A AD Rep RP AD-A-316722 VN PAGE.120p 1996 CI (T) (a1) (EN) (USA) AB 新しいダイヤモンド(p‐D)モノリシック圧力センサのプロトタイプを開発し, 特性評価をした。現在のところ580°Fまでの温度で使用できる。設計,製作, 梱包とテストについて研究開発した。多結晶ダイヤモンド膜のゲージ因子(GF) を880°Fまで測定した結果,室温でほぼ5のものがリニアに増加して780° Fでほぼ50に達することが分かった。高温における多結晶ダイヤモンド膜のゲー ジ因子の値が温度の関数として報告されたのはこれが最初である。温度抵抗係数( TCR)の測定は,ビーム歪ゲージ及びフィルム歪ゲージを用いて80〜1180 °Fの温度範囲で行われた。SiC上に厚さ数ミクロンの真正ダイヤモンド膜を蒸 着することにより測定は成功した。ほう素化合物源での蒸着中にp型ダイヤモンド は,『その場で』ドープした。これはダイヤモンドをパターン化する新しい,より 効率的なプロセスである。抵抗器製作のためのこの新しいプロセスは,いかなるド ーピング・レベルでもp型ダイヤモンドのドーピングに適用することができる。P tとTi/Ptの二つのOhm接触メタライゼーション方式を,外部電子装置との 電気接続用に選んだ。800℃以上でダイヤモンドの酸化耐性技術を開発した。p 型ダイヤモンド抵抗器の製作プロセスが大いに改善された。力コレクター(隔膜) を形成するために,2段階のエッチングプロセスを利用した。 CC NC03110I, NC03030V (621.382:537.226.86, 621.382.002.2) KW センサ; ドーピング; ダイヤモンド; 半導体薄膜; 多結晶; 歪計; エッチング; 耐 酸化性; 温度依存性; ほう素; 圧電素子 FT [圧力センサ; 圧電センサ; マイクロセンサ]